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エルピーダメモリ、65nmのDRAM量産を発表

  • 2007年08月12日 00:09 発信地:東京
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2007年6月5日、台北(Taipei)で開催された台北国際情報技術産業見本市(Taipei International Information Technology Show )で展示された日本ナンヤ・テクノロジー(Nanya Technology)製のメモリ。(c)AFP/Sam YEH

【8月12日 AFP】半導体メーカーのエルピーダメモリ(Elpida Memory)株式会社は11日、65ナノメートルのDRAM(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ)を2008年3月までに量産すると発表した。同製品の量産は業界初となる。

 日経新聞(Nikkei)によれば、65ナノメートルのDRAMは従来の70ナノメートルのものより回路線幅が狭く、生産性が高くコストも30%抑えられるという。

 DRAM価格は単価が急落しており、韓国・台湾などの他メーカーは営業損失を計上、設備投資を先延ばししている。(c)AFP

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