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エルピーダメモリ、65nmのDRAM量産を発表
- 2007年08月12日 00:09 発信地:東京
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2007年6月5日、台北（Taipei）で開催された台北国際情報技術産業見本市（Taipei International Information Technology Show ）で展示された日本ナンヤ・テクノロジー（Nanya Technology）製のメモリ。(c)AFP/Sam YEH
【8月12日 AFP】半導体メーカーのエルピーダメモリ（Elpida Memory）株式会社は11日、65ナノメートルのDRAM（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ）を2008年3月までに量産すると発表した。同製品の量産は業界初となる。
日経新聞（Nikkei）によれば、65ナノメートルのDRAMは従来の70ナノメートルのものより回路線幅が狭く、生産性が高くコストも30％抑えられるという。
DRAM価格は単価が急落しており、韓国・台湾などの他メーカーは営業損失を計上、設備投資を先延ばししている。(c)AFP
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