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サムスン、世界初32ギガのフラッシュメモリー開発 - 韓国

  • 2006年09月11日 14:22　発信地:韓国
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写真は11日ソウルで、新製品のサンプルを紹介する同社社員。(c)AFP/JUNG YEON-JE

【ソウル/韓国 11日 AFP】半導体メモリー生産世界第1位の韓国サムスン電子（Samsung Electronics）は11日、記憶容量32ギガビットの「NAND型フラッシュメモリー」を世界で初めて開発したと発表した。回路線幅が40ナノ（ナノは10億分の1）メートルの技術を利用しているという。写真は11日ソウルで、新製品のサンプルを紹介する黄昌圭（Chang Gyu Hwang）同社半導体総括社長（右）。(c)AFP/JUNG YEON-JE
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